9月6-8日，深圳瑞波光电子有限公司(以下简称瑞波光电)将携最新大功率半导体激光芯片解决方案亮相第24届中国国际光电博览会(CIOE2023)，诚挚邀请您莅临激光技术及智能制造展4号馆4A062展位参观、交流及业务洽谈。
第24届中国国际光电博览会开展在即，瑞波光电如约而至，将展示最新半导体激光芯片新品——225W 905nm脉冲发射芯片(EEL)，905nm APD，500mW 980nm单模芯片及模组等。
5节905nm芯片功率225W：商业芯片里全球功率最高
基于激光雷达市场的蓬勃发展，瑞波光电为该应用领域开发了多款低温漂905nm EEL芯片系列，包括65W/135W/165W单管芯片，以及1*8和1*16阵列芯片，同时在展会上发布国内首款可商业化的5节功率225W芯片@37A， 光功率密度达到47KW/mm2，支持常规温漂和低温漂，所有芯片均支持TO和SF封装;客户通过使用瑞波迭代的新款905nm EEL芯片，可以开发出性能更优、成本更低的新一代激光雷达。
首推雪崩光电二极管器件APD
瑞波光电也将首次推出雪崩光电二极管器件APD，实现了在探测产品上的零突破，本次发布的APD型号RB-APD500-905-SMD，有源区面积500 μm，响应度为56 A/W，击穿电压为130-190V，该器件主要用于测距领域，凭借发射和探测的齐备，可大大提升了客户的设计弹性和便携度。
首推大功率980nm单模芯片及模块
目前，用于光通信和激光雷达用的大功率单模980nm激光芯片仍主要依赖进口。多年来，瑞波光电针对单模980nm激光芯片和模块进行全方位布局研发，目前已攻克了多项核心技术，突破了芯片和模块研制过程中IDM体系的诸多关键技术和工艺，实现了从芯片设计、材料外延、芯片到模块的国产化制造。本次展会，瑞波将展示500mW级的980nm激光芯片RB-980-4-0.5-4-SE，以及蝶形封装模组RB-980-400-M。
500mW级的980nm激光芯片腔长4mm，工作电流500mA，斜率效率1.01W/A，光电转换效率60%，快轴发散角(FWHM)为35.4°，慢轴发散角(FW95% Power)为6.74°。同时也积累的近万小时的可靠性数据，MTTF寿命达到25万小时以上。
测试表征设备助力行业升级
本届深圳光博会上，瑞波还将展出支持50A以上的大电流老化设备，新一代全自动COS测试机，以及面向红绿蓝激光 TO器件的全自动盘测机等新型测试设备。通过稳定的整机性能控制、物料优化和选型，为激光厂家提供整体智能化、高性价比的测试解决方案，满足客户对更大电流、更快速度测试的迫切需求。
原标题：助推半导体激光芯片国产化 瑞波光电携225W 905nm及980nm单模芯片新品亮相CIOE2023
